为满足日益增长的现代无线通信系统的发展需求,具备低损耗、高功率、易加工等优点的基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide,SIW）滤波器得到了广泛的研究和应用。为了应对复杂多变的通信环境,滤除干扰信号,对于提高滤波器的选择特性迫在眉睫。本论文以提高基片集成波导滤波器的频率选择性为研究重点,具体研究内容如下:1.采用模式耦合的方式实现高选择性SIW带通滤波器。通过在谐振腔中引入微扰,激励起腔体内的多种模式,使各个模式之间相互耦合形成传输零点,进而提高滤波器的频率选择性。在此理论基础上设计了三款带通滤波器:（1）通过加载互补开口谐振环（Complement Split-Ring Resonant,CSRR）结构激发消逝模引入零点可控的第一通带以及SIW自身形成的通带,实现一款双频三传输零点的高选择性SIW滤波器;（2）通过阶跃阻抗谐振器（Step Impedance Resonator,SIR）的谐振以及旁路耦合的方式实现一款具有3个传输零点的宽带高选择性SIW滤波器;（3）通过引入MIM（MetalInsulator-Metal）电容器将模式耦合与交叉耦合相结合的方式实现一款具有6个传输零点的双层小型化高选择性SIW滤波器。2.采用电磁周期结构的方式实现高选择性SIW带通滤波器。将人工表面等离子激元周期结构（Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPPs）与SIW相结合实现带通特性,进一步在SSPPs内部加载电磁带隙周期结构（Electromagnetic Band-Gap,EBG）,利用其特有的阻抗特性在通带外引入一个传输零点实现对滤波器频率选择性与带宽的调控。最后,分别对所设计的双频高选择性SIW滤波器、宽带高选择性SIW滤波器与加载EBG的高选择性SIW滤波器进行实物加工与测试,加工测试与仿真结果基本吻合,验证了所提出滤波器设计思路的可行性。