反激式电路具有诸多优点,比如拓扑结构简单、输入输出电气隔离、元件数量少、可靠性高等,因此在开关电源领域得到了广泛的应用。但是单纯的反激式电路由于变压器漏感的存在,在主开关关断时,漏感能量通过开关管寄生电容释放,形成LC振荡,导致开关管两端电压V_DS出现尖峰,电压应力高,开关管损耗增加,整体的效率降低。通常的解决方案是在反激式电路中加入箝位回路,以使得变压器漏感的能量有一个释放通路。其中,有源箝位方案克服了无源箝位的缺点,漏感能量可以通过箝位支路,最终传递给负载,加以利用。同时通过控制死区时间以及合理选择元件,可以实现开关管的零电压开通,降低开关管损耗和EMI。但这种方案增加有源器件,电路的控制更加复杂。此外,也存在轻载及空载时电路循环能量大,效率较低的问题。现有的有源箝位控制芯片为了满足全负载范围内的高效率,一般根据负载情况进行分段控制,其中有源箝位的控制策略大多比较复杂,相应的芯片外围电路也比较繁杂,实际应用并不方便。本文结合目前有源箝位反激式电路的研究进展,重点关注有源箝位电路的控制策略问题。在总结现有控制策略的基础上进行优化,提出一种在实施上较为简单的控制方法,同时兼顾了效率、功率密度等其他指标,在控制策略上是一次有意义的探索。通过样机实验验证了所提出方案的性能。同时,GaN作为宽禁带半导体的代表,具有低导通电阻、高开关速度等优良特性,应用于有源箝位电路中,取代传统硅器件,有望使电路的性能得到质的提升。本文同时关注GaN器件在有源箝位电路中的应用,采用GaN器件作为开关管,通过样机实验验证其性能。