本文以集成电路工程中日益常用的非挥发存储产品为研究对象,从其信息擦除过程中所实际遇到的工程问题切入,深入研究与擦除性能相关的工艺参数,并以此结论指导集成电路工艺调整,解决了信息擦除的问题,提升产品良品率。本文深入介绍集成电路中非挥发存储器的应用背景与工作原理,包括信息写入,读取以及擦除操作。后引入实际生产实践中所遇到的良品率问题,进行失效分析与验证,确定为非挥发存储器紫外线擦除性能不佳后,创新地在生产流程末端紫外线照射操作之后引入一道晶圆炼选测试,并证明其能有效反映存储器的紫外擦除性能。以此测试的失效率为指标,针对可能影响信息擦除性能的工艺参数,特别是钝化层沉积工艺环节作深入讨论,并选取其中一些重要参数,如薄膜厚度与反射系数进行晶圆流片试验。从工艺拉偏试验测试结果中,细致分析各参数的影响,最终得到影响擦除性能的参数与紫外线照射时间,钝化层厚度,以及反射系数之间的敏感度关系。以此结论,指导制造工艺做出相应调整,将产品失效率从12%降低至0.1%以下,解决了信息擦除的工程问题,提升产品良品率。本文所作研究与结论亦可为其他集成电路制造工艺领域工程课题参考。