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本文利用简单的结终端技术——偏移场板技术对原来的GAT终端结构进行了改进，在不增加终端尺寸和工艺步骤的基础上将BVCBO分别提高到700V和800V，从实验的结果看改进已经达到了预期的效果；同时选用偏移场板作为终端结构设计了2000V的高压IGBT的终端，从仿真结果和现阶段试验结果看，应该可以达到设计要求，并且终端区尺寸和SIEMENS公司的2000V NPT-IGBT的终端区尺寸大体相同，同时在国际上还没有见到用简单的偏移场板（场限环+场板）和SiO2绝缘层实现这么高耐压的报道。 本文的设计工作主要是在SUN工作站上利用二维器件仿真软件MEDICI完成的，通过仿真得到了一些有用的结论可供后人设计终端结构时参考。