近年来，随着微波通讯技术的高速发展，以微波介质陶瓷为基础的微波元器件逐渐趋向于小型化、集成化。为满足此要求，利用低温共烧陶瓷技术设计、制造多层片式集成电路微波元器件已成为当今材料领域研究重点。从环境保护、降低生产成本角度考虑，低温共烧陶瓷技术要求微波介质陶瓷材料能与Ag、Cu等熔点较低的金属电极共烧且具有优良的微波介电性能。因此，目前降低烧结温度以满足与Ag、Cu等电极共烧是微波介质陶瓷材料研究的热点之一。ZnO-Nb₂O₅系微波介质陶瓷材料具有较好的微波介电性能，烧结温度仅为1200℃，非常有望成为满足低温共烧陶瓷技术要求的微波介质陶瓷材料。因此，本文选择ZnO-Nb₂O₅系微波介质陶瓷材料作为研究对象，采用固相反应法合成ZnNb₂O₆陶瓷粉体并研究了预烧工艺对ZnNb₂O₆陶瓷微波介电性能的影响规律，引入TiO₂对ZnNb₂O₆陶瓷掺杂改性并研究了其对陶瓷微波介电性能的影响规律，采用分步固相反应法合成ZnTiNb₂O₈陶瓷粉体并研究了ZnTiNb₂O₈陶瓷低温烧结。所得主要研究结果如下：1．ZnNb₂O₆陶瓷粉体的合成及预烧工艺对ZnNb₂O₆陶瓷性能的影响采用固相反应法，在1000℃煅烧3h可以合成纯相ZnNb₂O₆陶瓷粉体。适当提高预烧温度有利于晶相的发育完全获得尺寸较大、均匀的晶粒。经1000℃预烧的ZnNb₂O₆陶瓷粉体在1200℃烧结3h后具有较好的微波介电性能：ε_r=23.9，Q×f=76071GHz，τ_f=-60.9ppm/℃。2．引入TiO₂对ZnNb₂O₆陶瓷微波介电性能的影响掺杂TiO₂可使ZnNb₂O₆陶瓷的烧结温度降低到1150℃。随着TiO₂掺杂量的增大，ZnNb₂O₆陶瓷的物相组成和显微结构发生明显改变，介电常数逐渐增大，品质因数逐渐减小，谐振频率温度系数逐渐趋近于零。ZnNb₂O₆-1.5TiO₂陶瓷在1150℃烧结3h具有良好的微波介电性能：ε_r=46.2，Q×f=48000GHz，τ_f=-8ppm/℃。3．ZnTiNb₂O₈陶瓷粉体的合成和ZnTiNb₂O₈陶瓷低温烧结以ZnO、Nb₂O₅和TiO₂为原料，采用分步固相反应法在1100℃煅烧3h可以合成ZnTiNb₂O₈陶瓷粉体。Cu粉的引入及其氧化可以有效地将ZnTiNb₂O₈陶瓷的烧结温度从1200℃降低至950℃。Cu粉的添加量大于3.0wt.%有第二相生成。添加3.0wt.%Cu粉的ZnTiNb₂O₈陶瓷在950℃烧结3h后所得的综合介电性能最佳，最佳微波介电性能为：ε_r=30.2，Q×f=27537GHz，τ-f=-57.1ppm/℃。