体硅、SOI及DSOI MOSFET的热分析

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该文通过数值模拟得到了体硅,SOI及DSOI MOSFET内部的温度场,进而分析了三种器件结构的热量产生和散热特性.该文研究工作主要包括两个部分:第一部分,该文在等效电路模型的基础上,对体硅、SOI和DSOI MOSFET内部温度场进行了数值模拟,定量地给出了上述三种器件内部的温度场,定性地分析了它们的散热效果和应用前景.第二部分,在半导体电学方程的基础上,通过简化得到了用于数值模拟的器件级数学模型,通过数值模拟获得了各种电学参数的详细分布,并且结合简化热阻模型,对体硅,SOI及DSOI MOSFET的温度场进行了器件级数值模拟.
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