氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物,直接带隙半导体材料(禁带宽度为3.37eV).其室温激子束缚能为60meV。其一维纳米材料由于具有优异的光电特性,而被广泛用于制造激光二极管、气体探测器、光电探测器、光开关、太阳能电池、场发射器件等。目前制备氧化锌一维纳米材料的方法按其生长和控制方式的不同,可以分为气相生长法、液相生长法、模板生长法及自组装生长法等。水热法是液相生长法中的一种,因具有生长温度低,生长成本低,可进行较大规模生长等优点,而受到人们的青睐。本文采用水热法在硅片及碳纤维布衬底上成功地生长出氧化锌纳米线,详细探讨了籽晶层厚度(镀膜时间)、生长时间、生长温度对氧化锌纳米线形貌的影响,并采用SEM、TEM及XRD等对样品进行了测试分析,结果表明制备的氧化锌纳米线具有单晶特质,生长方向沿[0001]方向。其中,在硅衬底上制备氧化锌纳米线的实验方法按其生长次数的不同,又可分为单次生长法和多次生长法。本文通过系统研究,分别总结出单次生长法和多次生长法中制备高质量、较长氧化锌纳米线的生长条件。单次生长法可制备出长度约10.4μm,直径约85nm的氧化锌纳米线：而多次生长法可制备出的长度在15μm以上,直径在100nm左右的氧化锌纳米线；而且氧化锌纳米线的长度还可以根据需要通过增加生长次数继续增加。另外,我们还将生长在碳纤维布上的氧化锌纳米线制成超级电容,对其性能进行了分析测试。