在研究有机半导体的进程中提高器件的光电性能一直是研究所追求的目标，而影响器件性能的关键因素便是有机半导体薄膜中的电荷输运机理。所以研究有机半导体材料中电荷输运性质就显得尤为重要。　　首先，本文基于偶极子无序模型，研究了有机半导体格点能量之间存在空间关联的物理机理，通过数值计算得到了简立方晶格和体心立方晶格模型下格点能量的约化关联函数，验证了有机半导体器件的空间关联存在性。为了获得有机半导体中电荷的输运特性质，再基于关联无序模型(CDM)，从求解晶格间的电荷跃迁主方程的数值解出发，模拟计算了有机半导体载流子迁移率对温度、电场及载流子浓度的依赖关系。　　其次，本文从Vissenberg-Matters模型出发，研究了不同有机层厚度下有机半导体场效应管中载流子的输运特性。在满足一定的温度和栅极电压条件下，得出了三维情况下有机半导体场效应管源漏电流随有机层厚度和栅极电压的变化关系。针对基于聚噻吩乙炔(PTV)的场效应管进行数值模拟，模拟的结果表明，随有机层厚度的增加，源漏电流会呈现出饱和现象。对于可视为准二维结构的单层有机半导体场效应管，从不同于三维情况下的载流子浓度分布函数出发，得出了二维情况下有机场效应管的电荷输运机理。