【摘 要】
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该论文从理论和实验上研究超高速SiGeHBT,并提出和研制一种新型SiGeHBT.简述SiGe/SiHB技术的发展概况和前景,SiGe/Si应变层材料和HBT器件的基本理论,SiGe/SiHBT材料生长和器
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该论文从理论和实验上研究超高速SiGeHBT,并提出和研制一种新型SiGeHBT.简述SiGe/SiHB技术的发展概况和前景,SiGe/Si应变层材料和HBT器件的基本理论,SiGe/SiHBT材料生长和器件研制基本技术和发展水平.在对SiGe/SiHBT纵向结构模拟分析的基础上,结合工艺条件设计出合理的器件纵向结构和横向结构.采用MBE方法进行材料生长,用双台面工艺制备了SiGe/SiHBT.研究了干湿法腐蚀工艺和低温淀积氧化层性能与工艺条件的关系及其对器件性能的影响.研究了外基区离子注入条件对器件噪声性能的影响.采用逆向制作方法在3微米的工艺线上研制出超高频器件,其主要指标为:封装后fT=15GHz,fmax=7GHz,高频噪声系数:N<,F>=2.5dB.管芯测量值:fT=25GHz.其他部分性能指标:Early电压≥500V、漏电流≤10nA、β<,RT>=100-300.用GSMBE方法生长的材料研制SiGe/SiHBT.其fT值为20GHz.在国内还未见到更好的报道.
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