氧化铟（In₂O₃）是一种具有立方铁锰矿型结构宽带隙（3.75 eV）半导体。通过引入氧空位和过渡金属元素掺杂,In₂O₃具有良好的室温铁磁性、导电性、透光性、气敏性且易于与多种半导体材料实现集成化,在许多器件应用领域以及基础性研究上均有极大的应用前景。本论文通过高温固相反应和电子束真空蒸镀法连续制备出(In_0.9-xFe_0.1Cu_x)₂O₃（O≤x≤0.03）块体和薄膜材料。采用X射线衍射仪、振动样品磁强计、扫描电镜、Hall效应测试仪及紫外—可见光分光光度计等手段表征了样品的晶体结构、磁性能、表面形貌、电输运及光性能。重点研究了Cu的掺杂浓度和工艺条件对块体和薄膜样品结构和性能的影响;并初步探讨了掺杂离子Cu在体系中的作用及可能的磁性来源。结果表明:Cu的掺入对块体样品中Fe的溶解度有影响,当x达到0.01（即Cu含量为1 at%）以后,出现杂质相In₂Fe₂CuO₇。主相的晶格常数随着x值先减小后增大,在x=0.01时达到最小晶格常数1.006 nm。无Cu掺杂和高掺杂时晶块表现为室温顺磁性,适量的Cu掺杂时为室温铁磁性。随着x值增大,饱和磁矩呈现先增大后减小的变化趋势,在x=0.01时获得最大饱和磁矩0.6 emu/g。以x=0.01薄膜样品进行正交试验,考察了工艺条件对薄膜样品结构和性能的影响,并找到一组制备薄膜样品的较优工艺参数,即基底温度为400℃,氧氩流量比为10/0,蒸镀时间为20 min。研究发现:Cu在薄膜样品中具有较大的溶解度,随着Cu掺杂浓度的进一步增加,薄膜样品均未出现明显的杂质相;而饱和磁矩有增大的趋势,并在x=0.02处获得最大饱和磁矩123.8 emu/cm³。结合块体和薄膜样品的试验结果,表明磁性来源与掺杂和缺陷引起的载流子浓度的变化密切相关。体系中自旋电子之间是通过载流子进行耦合的。Cu的掺入会改变体系中的变价磁性阳离子的数量,这些磁性阳离子进入基体点阵替代In³⁺的位置引起的阳离子缺陷会导致邻近氧的电子缺陷,引起体系中载流子浓度的变化,对样品的磁交换作用具有重要的影响,从而影响了样品的磁性。