随着科学技术的高速发展和人类不断变化的物质需求，信息技术的发展尤为关键，信息科技的高速发展促使存储器的更新换代更加频繁，现有的Flash存储器在存储性能方面已经显得‘力不从心’了，同时传统的存储技术在行业竞争中触碰到了微型化的局限，所以研制性能更加优越的下一代存储器迫在眉睫。为了获得新存储材料和技术，科研工作者做了大量的研究工作，发现在氧化物材料中存在电阻开关现象。氧化物电致阻变存储器具有结构简单、功耗低、高速擦写和极佳的尺寸缩小性等优势，应用前景十分光明。在阻变存储器上施加一个电信号，存储器的电阻会发生突变，在金属氧化物中（例如NiO，TiO2，Nb2O5， SrTiOx， PLCMO， PCMO和 YBCO）可以观察到这种现象。目前，已经有人提出一些机制来描述电致阻变效应，也存在很多解释电致阻变效应的理论，但这些理论一直处于争论当中，这些模型可以分成两种：体效应和界面效应。体效应包括：导电细丝模型，空间电荷限制效应和法兰克效应等。界面效应包括：离子（例如氧空位）的电化学迁移，载流子（空穴和电子）的俘获/去俘获，莫特变程跃迁理论。即使是同种材料的相同结构器件，对阻变机制的解释也不统一，这就导致了此类存储器的发展受到制约，也阻碍了它的实际应用。因此，揭示电致阻变的真正机理是当前一个非常重要的课题。在众多氧化物阻变材料中，具有钙钛矿结构的钛酸锶(SrTiO3)材料优势明显：通过元素掺杂很容易实现对其组分和光电性能等调制。近年来，人们在多种元素掺杂的SrTiO3(STO)中发现了优良的电致阻变现象，钙钛矿结构的掺钕钛酸锶（NdSTO）和掺铌钛酸锶（NSTO）单晶拥有稳定的化学性质和结构。建立较为简单阻变结构，方便分析阻变机制。通过不同浓度掺杂，可以在禁带中形成施主或受主能级，与某些金属接触易形成肖特基结或者欧姆结，通过电脉冲的激发使阻变材料置于不同的阻态。采用变温的手段对掺杂量不同的NSTO进行I-V和阻态的测试，探究温度和掺杂浓度对阻变的影响，确定了阻变发生的区域是在肖特基界面。　　本文进行了NdSTO单晶阻变现象和变温时NSTO的阻变现象研究如下：　　1.制备出Pt/NdSTO/In阻变器件，对器件的阻变一些性能进行了测试，比如I-V循环、多级存储、疲劳保持、时间效应对器件的影响、光照影响、变温等进行了研究，发现了其具备稳定阻变性能；分析总结了阻变发生的发生区域在肖特基结面，阻变原因是肖特基势垒中载流子的俘获和逃逸引起的；建立了肖特基势垒模型，初步探索出其内部的机制，对其阻变进行了分析。　　2.设计了一种变温探针台，极大地方便了变温测试，为我们实验提供了帮助。该装置的探针台独立设置并与测试台腔室内的电极可拆式连接，保证探针台可在测试台腔室内自由移动，在测量样品时，即使样品因尺寸太大或放置位置较偏斜，也可通过调整探针台位置，使样品处于测试台腔室的正中心位置，保证在合上测试台腔室上盖时也不会导致样品和探针的错动，保证样品电极的安全性。　　3.研究了不同浓度 Nb掺杂的STO在变温环境下的阻变，可能是由于温度影响了s-In/NSTO界面的肖特基势垒，导致了高低阻态的变化，这也证明了阻变发生在肖特基界面层。