准一维纳米材料具有优异的物理、化学性能，在纳米材料科学领域受到了广泛关注。其中，准一维纳米材料的可控生长是当前纳米材料研究的热点之一。本论文研究了镍、铜、铟纳米线和氮化铟准一维纳米结构的可控合成与物理性能，主要内容与创新如下：　　 (一)基于模板法，通过控制电解液配方和沉积参数，合成了单晶与网状多晶Ni纳米线。探讨了这两种微结构的生长机理。室温磁滞回线测量发现，单晶纳米线阵列在平行于纳米线轴向方向具有高的矫顽力(900 Oe)和剩余磁化率(0.98)。　　 (二)通过改变电解液成分实现了Cu纳米线择优取向在[100]和[110]之间的调控，并通过控制电压条件分别获得了沿这两个方向生长的单晶纳米线。探讨了取向调控的机理。光吸收测量发现，Cu纳米线阵列的表面等离子共振光吸收峰位随纳米线取向的改变而改变。　　 (三)在采用模板法电沉积In纳米线时，发现还原的In容易与Au薄膜电极结合形成合金。这可能是In纳米线难以生成的主要原因。通过对模板孔道进行修饰处理成功沉积出了In纳米线，进而通过改变电解液配方分别获得了沿[100]与[112]方向择优生长的In纳米线。　　 (四)采用气相法，通过改变原材料和控制实验参数，获得了两种InN准一维复杂纳米结构：具有分支结构的纳米线和线片连接的纳米结构。研究了它们的生长机理和光吸收、光致发光性能。