随着航天技术的高速发展和新型武器装备的制造水平的提高,装备的性能不断地提升,越来越多的集成电路被应用到这些系统中去,而在高端设备中起着核心控制作用的系统都需要高可靠性存储器作为重要的部件。半导体非挥发性存储器因为其具有掉电仍能保持信息的特性而成为重要的电子器件。随着电路集成度的提高,电子器件的集成度和尺寸对空间辐射的敏感度也正在发生着变化。在新型武器的装备上,存储器芯片的抗辐射能力变得非常的重要。论文课题来源于单位研制的项目,本论文是在对此类产品进行深入研究的基础上形成的,对于抗辐照MTM存储器研究具有一定的参考意义。论文介绍了MTM反熔丝的存储器国内外发展现状,MTM反熔丝基本结构,存储单元基本结构,电路工作原理;介绍了电路逻辑结构设计和工艺加工的技术手段。介绍了辐照机理的研究,对电路的抗辐照措施进行了说明。首先完成了MTM反熔丝结构设计和工艺加工,并通过试验,检验了反熔丝单元编程前、编程后的特性,然后设计了存储器单元,通过对可靠性和电路面积的权衡,确定了存储单元的结构,并完成了存储器读、写等模块电路,结合电路仿真技术,设计了一款MTM反熔丝存储器,并根据工艺加工参数,自主设计了专用的编程器。通过编程试验,总剂量试验,单粒子试验证明了电路的功能和参数指示符合设计的要求。此款MTM反熔丝电路与国外同类产品相比,也有不足之处,第一、电路在存储器全地址编程的一次性成功率上还有待提高,国外此类产品的成功率一般在90%以上,此款电路全地址编程的一次性成功率在60%左右。第二、国外此类电路在设计上一般会加入冗余存储器阵列,这个冗余存储器阵列可以方便测试和工艺进行优化,对寻找最佳编程条件也会带来便利,由于受电路面积所限,此款电路没有设计冗余存储器阵列,在今后的科研工作中在这二个方面加以改进。