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硅(Silicon,Si)功率器件发展至今已接近其理论极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率密度及高可靠性的需求。低压增强型氮化镓(Enhancement Mode Gallium Nitride,e Ga N)功率晶体管开关速度快、寄生参数小、电气参数优越,因而在高频、高可靠性应用场合受到广泛关注。近年来,增强型低压氮化镓功率器件在该场合的应用研究成为极有价值的工作。本文首先分析了适用于航空二次电源的正激变换器拓扑,指出采用自谐振复位方式的正激变换器具有优越的高频性能;对高频工作情况下电路寄生