基于可调谐微吸收环的新型高速聚合物电光调制器的研究

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本文的工作是在国家教育部新世纪优秀人才支持计划“基于可调谐微吸收环的低损耗、低驱动电压、偏振不敏感的新型高速聚合物电光调制器研究”,(项目编号:NCET-05-0091)的支持下进行的。本文围绕微型环调制器的相关理论和驱动电路作为主要研究内容,获得以下研究结果:首先,根据模式耦合理论对各类的波导间的模式耦合进行了理论分析,推导出相应的振幅耦合比、传输矩阵以及传输功率的相关表达式。其次,比较了用于高速驱动电路的三种器件MESFET(金属一半导体势垒场效应晶体管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)和HBT(异质结双极晶体管)。给出基于HBT的驱动电路以及改进型的HBT电路的相应形式。结合相应的实验条件可以直接在微型环调制器上进行电路加载实验。第三,分析了用HBT设计驱动电路的优势:电流驱动能力强,放大的级数减少,电路芯片面积小;HBT的开启电压基本是一个自然常数,均匀性好,这对数字电路的设计是极为有利的,尤其在这类调制器驱动电路中,由于频繁使用电平移位电路,结开启电压的均匀性显得尤为重要;HBT频率特性主要由外延层结构决定,对光刻水平要求低;HBT的开启电压由外延层决定,与工艺无关,偏差仅几个毫伏;对驱动电路来说,均匀的开启电压可以获得匹配良好的发射极耦合逻辑,减小输出失真;HBT具有更低的输出电导,HBT具有更高的跨导;HBT的功率密度高,线性度好;HBT的电流增益高、电流驱动能力强;HBT的噪声比MESFET和HEMT低。最后,给出了HBT存在的主要问题:工艺比较复杂,可靠性上尚不是很高。另外,由于HBT在模型方面也还不太成熟,建立一个合适的模型,并为它提取参数也是一件很复杂的事情。本文的研究结果,对于高速电光调制器的研究具有一定的理论参考价值。
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