近年来,一种新型的紫外探测光电阴极——GaN引起了人们高涨的研究兴趣,NEA GaN光电阴极具有高量子效率、低背景噪声、发射出来的电子能量和角度分布集中等优点,这些优点决定了其具有广泛的应用范围,如通信、自然灾害预警、高压放电探测、天文学、平板印刷等领域,NEA GaN光电阴极已经成为一个研究热点。　　 本文围绕NEA GaN光电阴极制备、激活和评价方法等展开研究工作。先介绍了NEA GaN光电阴极的发展历史和其自身特点,阴极外延生长工艺,激活工艺控制研究进展;其次介绍了激活系统的监测系统——NEA光电阴极多信息量测试系统,改进了测控系统,增加了四极质谱计到系统中,可用于阴极激活和净化过程中测试真空室环境变化情况;再次是介绍了激活工艺,详细论述净化方法和Cs/O激活方法;最后以蓝宝石为基底,本征GaN为缓冲层,用MOCVD技术生长一种p型掺杂GaN样品,先对样品进行净化,然后利用NEA GaN光电阴极多信息量测试系统和激活系统对样品进行Cs/O激活实验,在线测试激活过程中的光电流和激活后的阴极量子效率曲线,对实验结果进行分析讨论。