随着科技的快速发展,半导体材料成为信息领域中最重要的材料,它是导电性介于导体和绝缘体之间的一种材料,可用来制作半导体晶体管、集成电路、半导体激光器等等。单层MoS2是一种典型的过渡金属双卤化合物（TMDs）,性质与石墨烯相似。但MoS2具有带隙,是一种直接带隙半导体材料。本文基于密度泛函理论,研究2H结构的MoS2在双轴应变下能带结构、态密度、声子色散关系、拉曼光谱的变化规律。计算结果表明在双轴应变下MoS2的带隙值、结构稳定性、拉曼光谱的峰值均有明显的变化。在压缩至4%以及拉伸至4%时,MoS2由直接带隙半导体材料转变为间接带隙半导体材料,在拉伸10%情况下,MoS2由直接带隙半导体材料可以转化为金属材料,带隙值随着拉伸程度的增加而减小。声子色散曲线受应变影响较大,在压缩至4%时,声子色散曲线出现虚频。结构开始变得不稳定,MoS2最大拉伸程度为19.5%。随着拉伸程度的增加拉曼光谱的峰值也发生明显的变化。方钴矿CoSb3是一种最有前途的n型方钴矿化合物,它由比其他方钴矿更丰富,毒性更低的元素组成。它是一种具有间接带隙的窄禁带半导体。本文基于密度泛函理论的基础下,研究了在不同压力下CoSb3的晶格常数、结构体积、能带结构、态密度、声子色散曲线、拉曼光谱和红外光谱。在0-20 Gpa范围内,随着施加压力强度的增加,能带带隙值有所增加,但仍为间接带隙半导体。对CoSb3的声子色散曲线分析发现在施加0-20 Gpa压力时声子色散曲线仍然没有虚频出现,结构的稳定性没有发生变化。在施加压力过程中拉曼光谱和红外光谱都发生了较为明显的变化,并且拉曼频率发生了蓝移现象。