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空间辐射环境对人类的航天活动具有非常重要的影响,航天器工作环境中的高能粒子、宇宙射线等因素可以引发空间仪器中的典型器件及电路系统的各种辐射效应,例如总剂量、单粒子、位移损伤等辐射效应。这些辐射效应能够导致空间仪器的数据异常、功能中断和降低其使用年限等后果,对人类探索宇宙空间形成了很大的阻力。本文对空间仪器中的一种典型器件——垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS,Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor)器件进行了辐射效应研究,对它进行了相关的模拟和实验工作,主要工作内容有以下几部分:(1)对VDMOS结构功率器件的结构、工作原理和实验方法进行研究。分析了它的结构、工作原理以及辐射效应机理,在此基础上对VDMOS功率器件的辐射效应研究实验方法进行了设计。(2)使用半导体辐射效应模拟软件进行VDMOS器件辐射效应机理仿真。针对VDMOS器件的主要辐射效应的机理,建立器件的辐射效应模拟模型,并对器件模型的关键电学参数进行了求解,然后对其总剂量、单粒子辐射效应以及累积剂量对VDMOS单粒子敏感性的影响进行模拟研究,并对辐射效应机理进行分析。(3)对VDMOS器件的总剂量、单粒子辐射效应进行实验研究,并将实验结果与模拟结果进行综合分析。分析了VDMOS实验器件的辐射效应特征、判定依据,根据设计的实验电路、实验方法,使用脉冲激光辐射源、钴-60γ射线辐射源对VDMOS器件进行了单粒子、总剂量以及累积剂量对单粒子敏感性影响等一系列实验工作,并对实验结果进行机理分析。本文结合仿真和实验两种研究方法对VDMOS器件的辐射效应进行较为全面的研究。实验结果表明,VDMOS器件的阈值电压随着电离辐射累积剂量的增加而降低,器件的单粒子烧毁效应电压随着剂量的增加而升高。在14nJ的激光能量下实验器件安全工作电压约为击穿电压的37.6%,并且安全工作电压随着栅极负偏置电压的升高而降低,随着累积剂量的增加变化不大。本文的工作为相关器件的效应机理研究、抗辐射加固设计和航天应用提供有力的支持,促进商用现货器件的空间应用,为祖国的航天事业做出一定贡献。