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ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.6-3.8ev，在光电方面有很好的应用。国内对用化学水浴法制备ZnS薄膜一直没有重视，很少有单位研究。该法的优势在于工艺简单有效、制备面积大、成本低、设备简单、不要求真空系统、沉积温度较低；可生长出稳定性好、质量高的多晶或非晶半导体薄膜。但该法存在重复性差、溶液中的均相沉淀进入衬底形成薄膜难以消除等缺点。 本论文系统地研究了采用CBD法制备ZnS薄膜的各种影响因素，并结合对ZnS薄膜生长机理的探讨，提出了优化的溶液配方和工艺条件。 采用联氨体系的溶液配方，运用金相显微镜和SEM、EDS、XRD、nkd薄膜分析系统等手段，具体考察了组分变化、沉积温度与沉积时间对所沉积ZnS薄膜的形貌、成分、结构、透过率、反射率、消光系数、禁带宽度和折射率等薄膜结构和性能的影响。 1．组分变化的影响：分别考察了联氨溶液体系中氨浓度、硫脲浓度、硫酸锌浓度、联氨浓度对薄膜沉积过程和薄膜质量的影响。实验表明：氨浓度不大于1.50M，可制得平整性和透过率较好（中长波透过率在95％以上）的、禁带宽度较高（3.81ev）的非晶ZnS薄膜；增加的硫脲浓度主要是促进氨的水解与S2-的生成，提高所沉积的薄膜在短波段的透过率；硫酸锌浓度对薄膜沉积过程的影响表现在开始提高硫酸锌浓度时有利于Zn2+进入衬底成膜，提高了沉积速率，进一步提高浓度时，更多Zn2+进入溶液形成沉淀，造成成膜速率下降。同时硫酸锌浓度对薄膜透过率影响显著；联氨浓度对薄膜在整个波段上的透过率均有显著影响，同时也对薄膜抗反射性的波长位置和波长范围均有较大影响；总体上，溶液组分变化对薄膜的沉积影响非常灵敏，不易控制。 2．沉积温度影响：随着温度的增加，会改善试剂或离子的水解、吸附、释放、沉积与迁移状况，提高薄膜的沉积速率，但不会改善薄膜的结晶性；温度过高，会导致均相沉淀进入，造成薄膜质量下降。薄膜的透过率随温度呈波浪形变化，反射率则先升高后降低。 3．沉积时间的影响；溶液的PH值、薄膜厚度与薄膜的沉积时间有很大关系，薄膜生长可分两个阶段：线性生长阶段与饱和阶段。在线性生长阶段中，薄