【摘 要】
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本文对8Ce, 0.8Y-TZP陶瓷的马氏体相变和形状记忆效应、Ce，Y-TZP陶瓷室温至250℃内耗以及纳米纯ZrO2的表征进行了研究，得出以下结论：1.在0.04mm/min－0.08mm/min这一加载速度的区
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本文对8Ce, 0.8Y-TZP陶瓷的马氏体相变和形状记忆效应、Ce，Y-TZP陶瓷室温至250℃内耗以及纳米纯ZrO2的表征进行了研究，得出以下结论：
1.在0.04mm/min－0.08mm/min这一加载速度的区间内，加载速度和冷却速度对于形状记忆效应没有明显的影响；在4.3℃/min－26℃/min这一区间内，升温速度对于形状记忆效应没有明显的影响。
2.采用晶体学表象理论计算了在OR-B2对应关系下8Ce,0.5Y-TZP中的t→m马氏体相变的惯习面，计算结果接近于(130)t (～1°) 和 (11 1 0)t (～1°)。
3.采用共沉淀法制备的ZrO2颗粒的尺寸为纳米级；初步计算了t相和m相的表面过剩体积对于它们的晶格常数以及晶面间距造成的影响。
4.在室温至250°C温度区间，单斜相的8Ce, 0.25Y-TZP陶瓷无内耗峰，内耗单调增加；而四方相的8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷出现弛豫内耗峰，内耗Q-1的大小约为10-3~10-2，模量单调减少，在出现内耗峰的位置并不发生模量的突变；内耗峰的位置随测试频率的增加向高温区移动，弛豫时间符合Arrhenius关系。
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