【摘 要】
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单卤化铟分子对开发半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料起着重要的作用.然而由于它们电子态结构的复杂性以及实验条件的制约,目前对单卤化铟分子的实验研究还存在着
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单卤化铟分子对开发半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料起着重要的作用.然而由于它们电子态结构的复杂性以及实验条件的制约,目前对单卤化铟分子的实验研究还存在着许多问题,尤其对于较高的激发态缺乏全面详尽的了解.在理论上,大多数的研究集中在基态上,特别是InI和InF两个分子,目前还没有对它们激发态的理论研究的报道.该论文使用量子化学从头计算方法分别对InI和InF分子的电子态进行研究.主要工作有:1.用单双激发耦合簇线性响应理论(CCSD-LRT)结合有效核势(RECP)对InI分子∧-S电子态进行计算,得到了包括Rydberg态在内的激发态,获得了与实验值符合较好的光谱常数.对实验上难以分辨的位于31500cm<-1>附近的连续谱带做了归属.2.使用内部收缩的多参考单双激发组态相关加Davidson型修正(ic-MR-CISD+Q)结合全电子基组对InF分子价电子态进行计算,并通过自旋轨道耦合(SOC)计算得到了轨道分裂后的Ω价电子态,获得了与实验数据比较接近的光谱常数.
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