【摘 要】
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该论文主要对含载流子限制光栅的增益耦合型分布反馈式半导体激光器进行理论分析和实际制作,并研究将这种激光器与调制器集成的有关技术.论文首先对含载流子限制光栅的增益耦
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该论文主要对含载流子限制光栅的增益耦合型分布反馈式半导体激光器进行理论分析和实际制作,并研究将这种激光器与调制器集成的有关技术.论文首先对含载流子限制光栅的增益耦合型分布反馈式半导体激光器进行了理论分析,通过在静态情形下研究限制载流子横向迁移的横向势垒和限制载流子纵向扩散的纵向势垒随各种条件的变化,以及在有注入条件下计算有源层注入载流了浓度起伏幅度随各种条件的变化,详细分析了各种因素对器件性能的影响,为器件的优化设计提供了理论依据.在理论分析的基础上,对激光器的结构进行优化设计.最后,该论文还研究了将这种新型的增益耦合型分布反馈式半导体激光器用于集成光源的相关技术,评述了目前实现半导体激光器和电吸收调制器单片集成的各种技术,通过比较,提出了用直接生长方法实现这种新型的增益耦合型分布反馈式半导体激光器与多量子阱电吸收调制器进行单征集成的初步方案.
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