【摘 要】
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该论文发展了分数维空间方法,并把它用于半导体带间跃迁光谱的分析上.具体地,我们运用分数维空间方法研究了(1)硅的临界点跃迁随温度变化规律;(2)表面氧化层对从光谱中分析临
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该论文发展了分数维空间方法,并把它用于半导体带间跃迁光谱的分析上.具体地,我们运用分数维空间方法研究了(1)硅的临界点跃迁随温度变化规律;(2)表面氧化层对从光谱中分析临界点跃迁的影响;(3)体硅锗合金材料的临界点跃迁随合金成分变化规律.我们的工作表明,与传统分析方法相比,分数维空间方法具有以下优点:(1),由于引入了维度可以是分数的概念,可以得心应手地处理维度连续变化(渡越)的情形,适用于无论是整数还是中间维度的情形;(2)分数维空间方法是一种直接而不需拟合程序的方法,避免了拟合方法所带来的各种问题;(3)因为分数维空间方法可直接从光谱计算参数,所以它有着和光谱相当的灵敏度,能反映微扰对能带结构的影响.
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