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最近几年，纳米线、纳米带和纳米棒等作为准一维纳米材料的新成员一直是科学界研究的热点，从化学和生物传感器件，场效应管到逻辑电路，非碳基材料在纳米科学与技术领域展示了优异的电学、光学、力学和热学性质。作为一种宽禁带本征半导体，ZnS在光学、光电学领域有着广泛的应用，ZnS一维纳米结构的制备和应用研究逐渐展开和深入。
本文分别采用VS和VLS方法制备纯ZnS一维纳米结构，用扫描电子显微镜对产物的形貌进行观察，比较了两种方法在产物形状、实验条件、材料缺陷和机制上的不同，进而探讨了采用VLS方法制备的工艺条件(包括温度、压强、气流和时间)对产物形貌的影响。
显微分析是材料表征的重要手段。本文利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)分析了采用VLS方法制备的ZnS一维纳米结构的形貌与晶体学取向，锯齿和基体分别是闪锌矿结构和纤锌矿结构。纳米带的生长机理可用固-液-气(VLS)机制+周期键链(periodicbondchain,简称PBC)理论解释。
本文采用蒸发ZnS粉末和LiF粉末的方法制备了ZnS双晶纳米带和三晶纳米带。电子衍射(SAED)发现双晶纳米带分为对称性双晶纳米带和不对称性双晶纳米带；三晶纳米带类似空间三次对称结构，但并不严格对称。