【摘 要】
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硅纳米晶体由于尺寸效应因而有着迥异于体硅的光电特性。利用硅纳米晶体薄膜成功制备光电器件是研究人员正努力突破的重要方向。另外,利用硅纳米晶体制备的三维块体材料也展现出巨大的应用潜力,颇具开发价值。本文综合研究了硅纳米晶体及其薄膜和三维块体的结构和性能。在成膜方面,利用溶液法和全气相法将冷等离子体法合成的非有意掺杂SiNCs沉积成膜,基于此制备了硅纳米晶薄膜晶体管(TFT),所制TFT的载流子迁移率在
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硅纳米晶体由于尺寸效应因而有着迥异于体硅的光电特性。利用硅纳米晶体薄膜成功制备光电器件是研究人员正努力突破的重要方向。另外,利用硅纳米晶体制备的三维块体材料也展现出巨大的应用潜力,颇具开发价值。本文综合研究了硅纳米晶体及其薄膜和三维块体的结构和性能。在成膜方面,利用溶液法和全气相法将冷等离子体法合成的非有意掺杂SiNCs沉积成膜,基于此制备了硅纳米晶薄膜晶体管(TFT),所制TFT的载流子迁移率在10-3cm2V-1S-1量级,Ⅰ-Ⅴ曲线表明所制备的TFT是具有场效应的,并且证明了非有意掺杂
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