P型浮栅双晶体管嵌入式快闪存储器件(Two-Transistor Embedded Flash Memory,2T-EFLASH)因其具有可靠性高、擦写速度快及低功耗等诸多优点,已广泛应用于对电压和功耗要求较高的嵌入式系统中。然而,随着器件特征尺寸的不断减小,2T-EFLASH器件的隧道氧化层越来越薄,在反复擦写的过程中难免受到损伤,对器件的可靠性造成严重影响。为了提高2T-EFLASH器件的可靠性,并评估其寿命,需要对其可靠性(包括耐久性和数据保持特性)退化机理及模型展开深入研究。本文首先对2T-EFLASH器件耐久性退化机理和模型进行了深入研究。使用电荷泵测试结合Sentaurus仿真,发现编程操作会引起漏端交叠区隧道氧化层损伤,而擦除操作会产生沟道区界面态,由此导致了器件耐久性退化。同时,本文还建立了器件的耐久性寿命模型,该模型表明编程阈值的退化量△Vtp和循环次数n成对数线性关系。测试结果表明,模型和实测的相对误差为10.3%,满足2T-EFLASH器件的耐久性评估要求。通过该模型,可以推断2T-EFLASH器件的退化趋势并预测其耐久性寿命。此外,本文还详细研究了 2T-EFLASH器件的数据保持特性退化机理和模型。揭示了数据保持特性退化机理为离子沾污、界面态及隧道氧化层陷阱,并且通过高温烘烤测试,结合Arrhenius模型,拟合出数据保持特性寿命模型。该模型表明,数据保持时间的对数lnL和烘烤温度的倒数1/T成正比,并且模型和实测结果的相对误差为11.1%(以Ir0为-8μA作为失效标准)。通过该寿命模型可以推出2T-EFLASH器件在常温下的工作寿命,对数据保持特性评估具有指导意义。