以Flash为代表的传统非挥发存储器已经取得了巨大的成功,但是随着工艺尺寸的不断减小,Flash即将到达它的物理极限。为替代Flash引......

文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器（charge trappingmemory，CTM）俘获层时，在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响，计算了4......

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当今智能社会对便携设备需求不断提高,因而非易失性存储器的需求也在与日俱增。伴随着电子产业的迅速发展,器件工艺尺寸在不断缩小......

P型浮栅双晶体管嵌入式快闪存储器件(Two-Transistor Embedded Flash Memory,2T-EFLASH)因其具有可靠性高、擦写速度快及低功耗等......