本文利用高分子辅助沉积法(PAD)在Ni基板上制备BaTiO3薄膜,对其漏电流进行了测试与分析,分别利用Frankel-Pool emission,Space Charge Limited Current(SCLC)与Schottky emission等机制来描述,分析得到了薄膜的结构特征及能带图。得到BTO薄膜内部主要以氧空位缺陷电离的电子为主要载流子,BTO/Ni界面因氧化镍缓冲层的分解及镍基板与BTO薄膜的扩散而呈现欧姆接触。BTO薄膜的电子迁移率为μ=0.001cm2/Vs,根据其漏电流计算得到BTO薄膜内的载流子浓度大约为Nt=1.222×1015/cm3,薄膜内的杂质能级为Ec-Et=0.26eV,由此我们确定薄膜内部的缺陷主要为氧空位。在负电压下漏电机制为肖特基导电机制,通过不同温度的漏电流,根据公式的到Au/BTO界面有效势垒为0.30eV。利用一阶线性电路对薄膜分析,测试其J-t曲线,计算得到薄膜界面电阻与体电阻大小及随电压变化趋势,得到结果与实验及理论相符合。利用分步退火法对薄膜进行退火,避免了Ni基板被氧化,同时降低了薄膜的氧空位,降低了薄膜漏电流。对薄膜缓冲层进行研究,利用不同厚度的缓冲层,通过使其在制备过程中的分解降低薄膜氧空位。实验得到在5%H2O2的50℃水浴中氧化2h效果最好。对薄膜进行富钛掺杂,多余的Ti在薄膜中以Ti O2的形式存在,钛掺杂一方面可以对氧进行固定,减少氧空位,同时其掺杂为P型掺杂,与氧空位形成的N型导电相复合,减小薄膜漏电。同时薄膜中的Ti离子含量增加,有利于提高薄膜的介电特性。