由于场效应管具有功耗低的特点，伴随着对产品低功耗的重视，场效应管应用越来越广泛。而作为产品中生产过测试主要分为两个过程：芯片封装前测试和芯片封装后测试。这两个测试过程更费时，测试成本也大。而作为芯片封装后测试的产品电参数测试，对保障产品的功能、质量具有重要作用。本文首先介绍了课题研究背景、场效应管测试系统组成和国内外场效应管测试系统现状。而后主要分析了场效应管开启电压、夹断电压、栅极漏电流、源极漏电流，饱和漏电流、导通电阻、跨导等常用参数测试方法，设计出测试流程图。在此基础上，提出测量适配器设计方案，其主要利用CPLD控制的继电器矩阵完成测试电路的搭建、测试资源的接入。同时，由于测试漏电流电流值为nA级，不适于长距离传输，所以在测试板上进行I/V变换并放大后，送给测量通道处理；其次，为测量适配器编写了驱动函数，使核心板能够通过总线控制CPLD动作；最后，把功能板驱动进行封装，减少驱动函数传入参数，方便测试指标函数编写。根据N沟结型道场效应管、P沟道结型道场效应管、N沟道增强型场效应管、P沟道增强型场效应管特点分别编写了常用指标测试函数。把他们编译成静态成库。由于库函数无法运行，所以需要编写帮组文档，说明库中函数功能、传入参数、返回值。最后，对测量适配器进行了调试和测试指标函数的测试，测试结果表明，场效应管测试指标函数功能正确，能完成测试指标的测试。本文所设计的测试指标函数能大大加快场效应管生产厂家测试程序的开发，同时优化后的测试流程能大幅度缩短参数测量时间，有利于降低测试成本。