射频集成电路(Analog integrated circuit,Analog-IC),是Analog-IC的重要分支,对射频电信号进行处理,并将其转化为电磁波进行发送,广泛应用于无线物联网,手机通信等领域。目前对于射频集成电路的电容模型的研究还不够充分,本文工作即针对MOM电容,MIM电容的多种结构开展了三维电磁场的建模和仿真,主要工作内容和结论如下:首先对MOM电容,MIM电容的几何结构和工艺实现进行阐述,分析其电场分布情况,得到其等效电路模型。提出两种新的MOM电容结构,可以利用与衬底垂直方向和水平方向上的多个电场形成电容。接着利用高频结构仿真器(High Frequency Structure Simulator,HFSS)对不同的电容结构在不同的尺寸特征下建立相应的三维模型并进行电磁场仿真,得到电容器件的端口能量散射特性。然后研究了MOM电容特征单元的长度,宽度,厚度,介质层介电常数对电容密度的影响,结合HFSS仿真器计算得到的Y参数对电容的阻抗进行分析,探究了电容的电容密度,自谐振频率,品质因数等与特征单元的尺寸和数量的函数关系。对MIM电容进行相同条件下的三维电磁场仿真,并与MOM电容仿真结果进行对比。最后建立两种电容结构的HSPICE电路仿真模型,并对HFSS和HSPICE两种仿真器的仿真结果进行对比,电路仿真与三维电磁场仿真数据非常接近。从HFSS的仿真结果看,对于MOM和MIM两种电容结构,在相同的特征加工尺寸下,MOM电容的电容密度与MIM电容相当,但是其自谐振频率,品质因数特性不如MIM电容。