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有机发光晶体管(Organic light-emitting transistor, OLET)是一种新型的电致发光器件。它是集有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)二者而成的。因而具有发光和晶体管调节电流两种功能,并可利用调解栅压来控制其发光强度。另外,由于该晶体管采用了垂直构型,缩短了沟道长度,从而降低了器件的工作电压,并提高了发光效率本文通过制备不同材料、形状及厚度的源电极,研究了源电极对VOLET器件光电特性的影响,具体包括以下几点：首先,以单层铝为源电极制作了多组VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(25 nm)/LiF(150 nm)/Al。发现栅压具有调控作用,但性能并不是很好。考虑中间铝源极是器件中最核心的部分,本文尝试通过改变中间共源极的各方面参数,以达到优化器件性能的目的。制作了以金为共源极的VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Au(25 nm)/LiF(150 nm)/Al,器件仍可以工作,且体现出较强的调控效果,说明电容部分确有克服高势垒,以实现载流子注入的功能。其次,制作一套掩膜板,用以改变铝源极的形貌。试图通过改变源极形貌来优化器件的性能。利用其中两种掩膜板制作了三组不同厚度的双层源极器件,发现虽然有一定的电流调控效果,但发光性能很差,说明这种形貌并不利于提高器件的性能。最后,用掩膜板制作了四层源极结构的VOLET器件,其中第一层铝的制备方法和制作单层铝源极相同,但厚度非常薄,并在该层铝表面利用特制的掩膜板再蒸镀三层。制作了三组不同厚度的四层源极VOLET。其中以ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)/LiF(150 nm)/Al光电性能最好。其中Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)分别指铝源极不同区域的厚度。并在确定了源极厚度与形状的前提下,又对器件中起空穴传输以及平衡载流子作用的Pentacene层做了厚度的优化。从发光特性曲线中可以看出,当并五苯厚度为40 nm时,器件光电性能较优。