本论文在简要的介绍了锑化物半导体激光器的发展现状后,分析并讨论了目前锑化物激光器的工艺制造中存在的问题。首先,文章中针对四元系的化合物AlGaAsSb、InGaAsSb的晶格常数进行了计算与分析,并分别讨论了其晶格常数随着Al、In组分多少的变化关系,给出了两种化合物的禁带宽度折射率等参数,并对于波导层的厚度对激光器性能的影响进行了讨论,我们发现0.3μm-0.5μm的波导层厚度是最佳选择,并依据以上的理论基础设计了2μmAlGaAsSb/InGaAsSb量子阱激光器的结构。其次,文章对于刻蚀工艺中的干法以及湿法刻蚀进行了简要的介绍,并且采用氢氟酸系及磷酸系腐蚀液对于GaSb基材料进行了湿法刻蚀的实验探究并在两种酸系溶液中加入分别加入酒石酸进行对比试验。实验结果表明,氢氟酸系及磷酸系这两种腐蚀液对GaSb材料都有较好的刻蚀效果,腐蚀速率平稳,适当调整腐蚀液组分可以调控腐蚀速率,刻蚀后形貌良好,材料表面平整光滑。在两种酸系溶液中加入并调整其组分可以在很大程度上改善刻蚀效果,使刻蚀表面粗糙度较低,并且减小实验中产生的下切效应。