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本文采用直流磁控溅射法和脉冲等离子体沉积方法(Pulsed Plasma Deposition, PPD)在普通玻璃衬底上制备了三氧化钨半导体薄膜,靶材分别是99.99%的纯钨金属靶材和三氧化钨粉末压制烧结而成的三氧化钨靶材。利用XRD和AFM等分析表征了三氧化钨薄膜的晶格结构和表面形貌,实验发现所制备的三氧化钨为非晶结构,具有相对平整的表面。利用两种方法制备的三氧化钨薄膜作为OLED阳电极的功函数修饰层,制备了IWO/NPB/Alq3/LiF/Al以及IWO/WO3/NPB/Alq3/LiF/Al两种OLED器件,对比研究发现：采用磁控溅射方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件：在工作电压20V时,IWO-OLED的亮度为8791cd/m2,IWO/WO3-OLED亮度为16690cd/m2。当电压加至19V时,IWO/WO3-OLED器件的功率效率达到最大值1.581m/W；与此对照,当电压加至20V,IWO-OLED器件的功率效率达到最大值0.76lm/W,数值是前者的1/2。对于IWO-OLED器件,当电流密度增大的时候,发光效率逐渐上升,当电流密度达到181.9mA/cm2的时候,发光效率达到最大值为4.83cd/A;对于IWO/WO3-OLED器件,当电流密度达到128.5mA/cm2时(对应的工作电压为19V),发光效率达到最大值9.56cd/A,其数值约为前者的两倍。总之,IWO/WO3-OLED无论在亮度,发光效率以及功率效率上都有显著的改善。PPD方法制备的三氧化钨缓冲层在器件OLED的效果：在工作电压20V时,IWO-OLED的亮度为8791cd/m2, IWO/WO3-OLED亮度为17360cd/m2,其亮度约为无三氧化钨缓冲层器件的两倍。从而证明了OLED器件通过加入三氧化钨缓冲层确实有效提高了发光亮度。然而对于功率效率而言IWO/WO3-OLED器件却并没有因为三氧化钨的插入而得到有效改善。发光效率上,IWO/WO3-OLED器件明显不如IWO-OLED。分析可知,OLED器件性能与缓冲层(buffer layer)厚度均匀性以及表面平整性有着密切的联系。初步研究结果表明,三氧化钨功函数修饰层有助于改善OLED器件性能。但是,缓冲层的最佳厚度、均匀性、以及摸索其他电学和光学性能的改善,都值得进一步研究和关注。