SnO₂一维纳米材料具有优异的物理、化学性质,其在光电子器件、气敏传感器、透明电极、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。对SnO₂一维纳米材料进行金属掺杂,获得SnO₂一维复合纳米材料,实现对其光学和电学性能进一步调控和优化,成为纳米科技领域的一个重要研究课题。本文首先讨论了利用化学气相沉积法（CVD）实现SnO₂一维纳米结构的的可控生长。通过控制反应物的蒸发速度、载气流量、组分、气压以及温度分布等宏观生长条件成功地制备了横向尺度可控的SnO₂一维纳米结构（纳米线、纳米带、以及纳米针状结构等）。并对SnO₂一维纳米结构的生长机理进行了讨论。在SnO₂一维纳米结构可控生长的基础上,通过化学气相沉积原位掺杂,成功制备钼掺杂二氧化锡纳米线。拉曼散射谱显示二氧化锡纳米线晶格对称性随钼掺杂浓度增加而降低,表明钼离子确实已进入到二氧化锡纳米线晶格之中。紫外-可见漫反射谱显示二氧化锡纳米线的带隙宽度随钼掺杂浓度增加而减少。二氧化锡纳米线的室温光致发光谱表明,可以通过钼掺杂实现对580纳米附近发射峰强度的控制,该发射峰对钼掺杂浓度非常敏感,在钼掺杂原子比为0.46%将完全消失。在SnO₂一维纳米结构可控生长的基础上,通过化学气相沉积原位掺杂,成功制备P型和N型SnO₂一维纳米结构。在此基础上,在SnO₂一维纳米结构的生长过程交替实现铟掺杂和锑掺杂,获得SnO₂一维超晶格复合纳米结构,其深入结构表征和物性研究正在顺利进行中。