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本论文用含Al_2O_3质量分数为2%的ZnO(纯度99.99%)靶材,以直流磁控溅射制备AZO薄膜,并通过退火进一步提高了AZO薄膜的光电性能。研究了AZO同P-GaN的接触特性,ITO/AZO同P-GaN的接触特性,结果表明ITO/AZO可以同P-GaN形成欧姆接触。将ITO/AZO的复合薄膜作为LED的电流扩展层,制备出了尺寸为217μm×368μm的GaN基蓝光LED管芯。实验以石英玻璃为基板,溅射制备AZO薄膜,并改变溅射参数(衬底温度、溅射功率、靶同衬底间距、气体流量、溅射时间)