高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义。近年来,表面声波(SAW)通过压电效应与GaAs/AlxGa1-xAs异质结中二维电子气(2DEG)的相互作用受到越来越多的关注。本课题组致力于研发单电子输运声表面器件,以及从事探索量子化声电流平台的前沿研究工作。研究的重点为,在甚低温(0.236K)下,通过实验研究表面声波的频率和功率,源漏偏压等因素对声电电流的影响;研究准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负偏压的关系,以找到分裂门的钳断点电压;以及研究声表面器件叉指换能器的频率特性等。最终目标是在准一维电子通道的钳断点测量和研究声表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流,从而对准一维电子通道的声电流量子化台阶现象进行研究。为了进行上述研究,必须能够精确的控制准一维电子通道的宽度和钳断,以及精确的在2DEG上激励电流,由此我们设计研发了给分裂门加负偏压和给准一维电子通道加源漏偏压的两路高精度高稳定性馈源。本人在课题中所做的工作如下所述:(1)分析和研究了准一维电子通道声电流输运模型实验系统对两路馈源功能和性能指标的需求;(2)设计和实现了两路馈源的硬件电路;(3)设计和实现了两路馈源电路内部微处理器嵌入式软件;(4)设计了两路馈源下位机和上位机之间的通讯协议;(5)设计实现了在上位机上使用的向下位机发送程控命令的LabVIEW控制软件;(6)为提高两路馈源的输出精度对馈源做了屏蔽和校准工作;(7)在准一维电子通道量子化声电流输运实验中对馈源进行了安装和调试,并撰写了使用说明。两路高精度高稳定度馈源在进行准一维电子通道量子化声电流输运实验的中得到了很好的使用效果,在国内首次观察到了在甚低温下准一维电子通道的电导量子化现象。