在多晶硅生产过程中产生 SiCl4副产物，此物质如处理不当会造成严重环境污染。行业内主要通过氢化生产多晶硅原料 SiHCl3、白炭黑、有机硅产品、光纤等。其中使用 SiCl4生产 SiHCl3最为便捷、最为经济。在世界范围内，氢化工艺以冷氢化工艺最为普遍。冷氢化工艺系统中， SiCl4转化效率除了受到压力、温度等影响外，还受到催化剂种类及用量的影响。行业内对于冷氢化工艺的优化有很多研究，但是对催化剂类型的选择及分析不够深入。针对这些问题本文旨在提出一种或一类冷氢化所需的催化剂，用于多晶硅及其副产物 SiCl4的冷氢化处理，降低生产成本。　　主要研究成果如下：　　（1）研究了 SiCl4冷氢化工艺最佳的操作温度、压力、硅粉厚度等指标。结果表明，温度在430℃~520℃、反应压力1.25~1.45MPa、n（ H2）/n（ SiCl4）为（3~5）:1、Si粉厚度0.4~1.2m、m(Si)/m(催化剂)为（85~100）:1条件较好。　　（2）固定实验操作参数，改变催化剂种类，分别使用镍催化剂、铜催化剂、镍铜合金催化剂，统计汇总分析冷氢化产品质量、SiCl4转化率数据。结果表明，SiCl4摩尔转化率在17％~30%，其中使用镍铜合金催化剂转化率最高；镍铜合金催化使冷氢化产品的杂质含量最低，其中 B、P杂质降低70%以上， Al、Fe杂质降低90%以上。