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本文致力于研究绝缘硅波导(SOI)中基于三阶非线性效应四波混频(FWM)过程的波长变换。目的在于了解SOI内部的非线性效应，寻找SOI波导以及基于此技术的商业设备的应用前景，探索并解决该技术大规模应用时的固有问题。由于纳米绝缘硅波导的横向尺寸远远小于在其中传输的红外光波波长，这种极端的结构可以产生很强的色散效应，而且其强度可以通过调节波导的几何特征来加以控制。同样的结构还会加强硅的克尔效应(材料的折射率随着光强的变化而变化)，以便可以在小功率光入射条件下产生非线性光学现象。最后，本文着重研究了绝缘硅(SOI)波导的若干非线性现象，包括四波混频理论分析以及基于该效应的全光波长变换的讨论，其中四波混频过程受到了双光子吸收和自由载流子效应的影响。
我们分析了不同参数条件下波长变换的效率问题以及相应的优化措施。理论分析及仿真结果表明利用单泵浦光可成功实现全光波长变换。最后一章分析了SOI波导中由双光子吸收和自由载流子吸收而造成的损耗，通过仿真研究了降低损耗的方案。