目前在气敏金属氧化物技术研究与应用领域中,国内外流行的瓷管烧结型(TGS)元件存在着许多缺点,例如其只能手工涂料,不能自动化、集成化生产,只有一种基材料Sn02可用等,这严重限制了气敏元件的产量和发展。新型气敏元件的研究和开发成为国内外研究的热点。本论文采用气敏薄膜元件取代目前在国内外流行的TGS元件,对其气敏理论和工艺制造进行了较为深入的研究。本论文的主要工作包括以下几个方面：(1)设计了两种温变气敏薄膜元件的芯片结构,并对两种芯片结构的设计差别进行了详细的对比说明。(2)设计了温变气敏薄膜元件的制造工艺,其中包括芯片制造工艺及流程、封装制造工艺及流程等。芯片制造工艺流程为双面双绝缘层Al2O3/SiO2/Si/SiO2/ Al2O3制备、正面光刻生成加热器和测温器、反面高能溅射气敏层等；封装制造工艺为划片、筛选、点焊、撬片、封装成形等。(3)总结出温变气敏薄膜元件的气敏原理,搭建测试实验装置得出了实验结果,并对实验结果进行了讨论分析。(4)设计了温变元件检测器并对其中的设计进行了说明。本论文主要贡献为：设计了两种温变气敏薄膜元件的芯片,同时设计了芯片制造工艺和封装制造工艺并试产：根据总结出的温变气敏薄膜元件的气敏原理,搭建测试实验装置得出了测试结果,从而证明了温变气敏薄膜元件实际可行。