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铌酸锂晶体是一种在诸多应用领域均表现出优越性质的多功能晶体材料,尤其在光学体全息存储方面,被认为是光存储介质的首选材料之一。在实际应用中,铌酸锂晶体中引入各种杂质离子,可以极大的优化铌酸锂的各种物理性能以适应不同应用的要求。研究表明,双光折变离子共掺铌酸锂晶体的方案,是解决光折变晶体全息存储应用中读出信息容易丢失的一种有效方法,可以完美实现非挥发性全息存储。目前,国内外对铌酸锂晶体作为存储材料进行全息双光存储的研究取得了不少优秀成果。但以铌酸锂晶体作为存储介质研究大都是实验研究,以电子结构和光学性质