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自从石墨烯发现以来,由于其新奇的层状结构和独特的能带结构,受到了很大的关注。然而,由于其没有带隙,难以在电子器件获得实际应用。因此,探索具有类石墨烯结构和较大带隙的新二维材料成为近来电子科学和材料科学的热点课题之一。最近,人们成功合成了一种新型的二维材料g-C2N,它是直接带隙半导体,带隙为1.7 eV。此外,由于具有独特的电子结构和光学性质,过渡金属硫族化合物（XT2）引起了研究人员的广泛关注。首先,通过密度泛函理论计算了二维g-C2N吸附过渡金属（TM）原子的电子结构。研究发现,g-C2N吸附大多数TM原子为金属特性。g-C2N吸附Ni和Zn为半导体,带隙分别为0.6和1.6 eV。当TM从Sc到Zn变化时,吸附的g-C2N的最大自旋劈裂分别为110、186、117、100、0、515、147、64、95和0 meV。在C-C和C-N环的吸附位分别标记为Fe1和Fe2,Fe12位的吸附结构出现了90 meV的带隙。在Fe吸附浓度为5.56%、11.11%和16.67%时,最大自旋劈裂分别为515、412和750 meV。其次,通过密度泛函理论研究了MoTe2/WTe2异质结构的应力和电场效应。随着应力从-6%增至6%,MoTe2/WTe2异质结构的带隙分别为0.56、0.62、0.69、0.62、0.46、0.37和0.29 eV。同时,导带底（CBM）处的自旋劈裂从76 meV单调减小到1 meV,而价带顶（VBM）处的自旋劈裂分别为232、266、229、307、319、302和283 meV。在应力为2%时,随着电场从-0.3 V/?增至0.3 V/?,VBM处的自旋劈裂从499 meV降至77 meV,CBM处的自旋劈裂保持在33 meV。在应力为-4%时,随着电场的增加,CBM处的自旋劈裂从37 meV单调增加到154 meV,而VBM处的自旋劈裂分别为437、438、378、273、150、78和134 meV。最后,通过密度泛函理论研究了电场对g-C2N/XSe2（X=Mo、W）异质结构的电子结构的影响。当电场从-0.1 V/?增至0.3 V/?时,g-C2N/MoSe2异质结构的带隙分别为0.66、0.54、0.45、0.39和0.34 eV,带隙随着电场呈线性变化,最大自旋劈裂均为188 meV。当电场从0.1 V/?增至0.3 V/?时,g-C2N/WSe2异质结构的费米面穿过价带,表现为p型半导体,带隙分别为0.32、0.26、0.19、0.12和0.06 eV,最大自旋劈裂均为444 meV。此外,在费米能级附近,导带主要来自单层g-C2N,而价带主要来自XSe2。