Nd:YAG 532nm激光打标于裸露晶片上的参数研究

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本文研究利用波长为532nm绿光打印于硅晶片表面的字体的研究。倒装芯片封装是当前最先进的一种封装方式,而裸芯片封装正是基于倒装芯片封装的一种方式,即芯片直接裸露在外而没有模压树脂或者散热片的保护。其次随着半导体封装的全、小、轻、薄的趋势,字体的尺寸收到限制。针对这两方面,本文对激光打印于硅晶片上的字体的相关参数进行了一下的研究:首先,以硅晶片为载体,利用单因素试验法得出532nm作用于硅表面的打印深度、打印线宽以及打印时间随电流强度、Q频率以及扫描速度变化的曲线关系。从实验结果来看,打印时间主要受扫描速度影响,扫描速度越快,打印时间越短;而打印线宽则同时受电流强度和Q频率影响,在一定范围内电流强度越大或者Q频率越小则打印线宽越大;打印深度则更复杂,同时受电流强度、Q频率以及扫描速度这三个因素影响,在一定范围内电流强度越大或者Q频率越小或者扫描速度越小,打印深度越大。其次,基于田口方法进行了打印字体小于0.4mm打印深度目标在0.2mil的试验。设计了L27的正交试验表,对字体高度和打印深度分别进行望小特性和望目特性的信噪比分析,对激光参数进行优化,最后得到在硅晶片表面打印字体高度小于0.4mm且打印深度目标在0.2mil的最佳参数组合。本论文对工厂实际生产有重要的指导意义。
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