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本文研究了Cu胁迫对玉米幼苗生长、叶绿素荧光参数和抗氧化系统的影响，并采用整体和离体相结合的方法研究了玉米幼苗叶片抗氧化系统和叶绿素荧光参数在光照和黑暗条件下对Cu和Cd胁迫响应的差异。实验结果表明，5-20μmolL-1Cu处理明显抑制玉米幼苗根系生长，减少玉米幼苗的干物重。Cu处理浓度越高，根系生长的受抑制程度也越明显，但对玉米幼苗地上部和根系的干物重无显著影响。5-20μmolL-1Cu处理显著增加玉米幼苗叶片和根系含Cu量。玉米幼苗吸收的Cu大部分积累在根系，而在地上部分布较少，显示玉米幼苗对Cu胁迫的耐性机理主要是排斥机制。在0.32-20μmolL-1Cu处理下，玉米幼苗叶片中叶绿素和类胡萝卜素含量均随Cu处理浓度的增加而明显下降。5-20μmolL-1Cu处理1d对叶片中的Fv／Fm、ETR、qP和Yield没有明显影响。当Cu处理时间延长到4d后，叶片Fv／Fm、ETR、qP和Yield明显下降。Cu处理浓度越高，Fv／Fm、ETR、qP和Yield下降程度越大。表明过量Cu明显降低玉米幼苗光合作用能力，并且随着营养液中Cu浓度的增加和Cu处理时间的延长，光合作用能力的下降程度也越明显。10μmolL-120μmolL-1Cu处理10d显著增加玉米幼苗根系和叶片中的MDA含量，表明根系和叶片受到明显的氧化胁迫。随着Cu处理浓度的增加和处理时间的延长，除APX外，根系中SOD、POD、CAT和GR活性呈现先上升后下降的趋势，而叶片中的SOD、POD、CAT和GR活性呈现先不变后上升的趋势。过量Cu和Cd明显降低玉米幼苗叶片叶绿素含量和叶绿素荧光参数，但过量Cu对叶绿素含量以及叶绿素荧光参数的影响更为明显。Cd胁迫下叶片中的抗氧化酶活性和GSH含量都明显高于Cu胁迫。表明玉米幼苗的光合作用系统和抗氧化系统对过量Cu和Cd胁迫的响应存在明显差异，过量Cu对玉米幼苗光合作用的影响更大。离体实验结果表明，在黑暗条件下，过量Cu和Cd处理明显增加玉米幼苗叶片的电解质泄漏率。随着Cu和Cd处理时间的延长和处理浓度的增加，叶片的电解质泄漏率增加程度越明显。在黑暗条件下，Cd胁迫12h的叶片电解质泄漏率明显高于Cu胁迫12h的叶片电解质泄漏率，而Cd胁迫12h的叶片中GSH明显低于Cu胁迫叶片中GSH含量。与对照相比，无论在光照条件还是黑暗条件下，Cu胁迫明显增加DHA+AsA含量，而Cd胁迫对DHA+AsA含量无明显影响。