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近年来,LED照明技术发展十分迅速。LED作为一种新型的半导体发光器件,有着体积小、坚固稳定、高亮和节能等诸多优势。同其它光源相比,LED在电光转换效率方面有着很大的潜在优势。目前,LED已在越来越多的应用领域起着重要作用。GaN基蓝绿光LED是半导体固态照明的主力军,在技术上已取得了重大突破,进入到了商业应用阶段。但是,相比于蓝光LED,绿光LED因为量子阱中较高In组份而存在更大的应力进而导致较大的极化电场,使其发光效率偏低,这极大的制了其应用。实践中往往通过工艺摸索来提高器件性能,对其器件特性的研究分析还不够深入,影响器件性能的相关机理尚不清晰。另外,SiC衬底作为GaN外延生长的衬底有着很多独特的优势,逐渐成为半导体照明领域研究的热点。本文中利用实验室现有条件结合当前研究进展主要做了以下几方面工作：(1)使用MOCVD系统在C面蓝宝石衬底上外延生长了InGaN/GaN多量子阱结构的绿光LED材料并制备成了器件。测得样品在20mA下的发光中心波长为506nm。外延生长中是通过温度调节阱区中的In组份来实现对发光波长的控制,利用XRD测试结果计算了样品的In组份为23%。测试了样品的变温电致发光谱,发现了随温度降低发光波长先蓝移后红移的现象,对此进行了分析解释。通过对样品的变电流电致发光谱发现,在测试电流范围内(20mA-350mA),随电流增加发光波长始终呈现蓝移现象,分析认为这主要是由于载流子注入所形成的屏蔽电场所致。(2)在上文绿光LED结构的基础上,尝试在量子阱和n型GaN层之间引入了一层低温GaN层,以缓解晶格失配和热失配所导致的应力。测试了样品的在不同电流下的电致发光谱,发现相比于上文所制备的绿光LED样品,使用低温GaN层的样品其蓝移偏移量比较小。通过对测试结果的分析认为低温GaN层的使用对于调节衬底材料和量子阱之间的应力起到了一定的作用。(3)使用MOCVD系统在6H-SiC衬底上生长了GaN/InGaN量子阱结构蓝光LED材料,并制备了同侧电极的芯片。在20mA电流下的正向电压为3.5V,中心发光波长为452nm。通过Ⅰ-Ⅴ特性曲线测试获得理想因子为7.8,分析了其理想因子偏大的原因,同时研究了温度变化对理想因子的影响。