电子转移是化学、物理和生物学等学科领域的一个重要科学问题。作为电子转移的模型化合物,混价D-B-A分子得到广泛研究,研究的重点主要是共轭桥连D-B-A分子,同时也涵盖了含π-π弱作用桥以及氢键桥连混价D-B-A体系。但关于对饱和桥连D-B-A分子内电子耦合和电子转移的研究的却很少。为了系统地研究饱和桥连D-B-A分子电子耦合和电子转移性质,合成了一系列以双钼单元为电子给体（D）和受体（A）,以饱和桥为配体的D-B-A分子。同时通过电化学、光谱等手段研究了桥的共轭程度、辅助基团给/吸电子能力、有效电子转移距离对双钼桥连D-B-A分子的影响。该论文的第二章,为了研究通过非共轭桥配体连接的混价化合物的电子耦合性质,设计合成了以反式1,4-环己烷二甲酸为桥基配体的双钼二聚体配合物,[{Mo₂（ArNCHNAr）₃}₂(?-O₂CC₆H₁₀CO₂)]（Ar=p-XC₆H₄,X=N（CH₃）₂,OCH₃,CH₃,CH（CH₃）₂,F,Cl,OCF₃）,化合物的结构通过单晶和核磁得到确认。重要的是,通过六氟磷酸二茂铁氧化得到的单电子混价化合物在近红外光谱当中并没有出现像π桥连双钼配合物中显示的金属到金属的电子转移吸收峰（MMCT）,又称分子内电子转移特征吸收峰（IVCT）。因此,该系列用?桥配体连接的双钼二聚体根据Robin-Day对混价化合物的分类,应属于第一类,即Class I。相对于具有相似Mo₂???Mo₂距离的共轭桥连配合物,该系列化合物的电化学半波电位差值(ΔE_1/2)很小,表明饱和桥配体大大削弱了体系两组钼之间的电子相互作用。随着辅助基团末端吸电子能力的增强,对应配合物的半波电位差ΔE_1/2也随之减小,这表明了该系列化合物的电子耦合不仅受到桥连配体共轭性的影响,同时也受到辅助基团的末端基团电子性质的影响。该论文的第三章,为了系统研究饱和桥连D-B-A体系中,电子转移有效距离对其分子内电子耦合的影响,设计合成了丙二酸以及丁二酸桥连系列配合物,[{Mo₂（ArNCHNAr）₃₂（?-O₂CCH₂CO₂）]、[{Mo₂（ArNCHNAr）₃}₂（?-O₂CC₂H₄CO₂）]（Ar=p-XC₆H₄,X=OCH₃,CH₃,CH（CH₃）₂,Cl）。对比三个系列配合物,发现从丙二酸桥连、丁二酸桥连到环己烷桥连配合物的ΔE_1/2随着r_ab的增加逐渐减小,表明电子耦合作用随着分子内有效电子转移距离的增长而减弱。这些结果说明,在消除桥的共振作用后,有效电子转移距离在确定由于静电作用引起半波电位差ΔE_1/2的大小方面起重要作用。为了研究静电作用和共振作用对D-A间电子耦合和电子转移的影响,在此前环己烷桥连配合物的基础上,结合了苯桥连相对应的配合物来进行比较分析。通过光谱数据以及DFT的计算结果一致表明,饱和连双钼二聚体的电子耦合作用可以忽略不计,同时单电子完全定域在分子内。而共轭桥连双钼二聚体分子内的电子耦合和电子转移过程主要通过通过桥的作用（Through bond）机理完成,这也验证了超交换电子转移机理。该论文中合成的各种?饱和桥连D-B-A化合物将为光诱导电子转移提供新的、重要的实验模型,这些体系中通过桥的作用（Through bond）被阻断。有别于其它体系,用饱和桥配体取代共轭桥配体,可排除光诱导电子转移体系中的单重态金属到配体的电子转移（MLCT）态,从而我们只能观察和研究MMCT态的给受体电子转移动力学。因此,本论文合成的饱和双钼二聚体和从中获得的理解,将会应用到电子转移的量子相干研究中。