本文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分布和对键合技术制备高压大功率p-i-n二极管的研究。 　　本文研究了硅-硅直接键合技术的工艺机理，提出了高温退火的“开合”过程。通过大量的实验和理论分析发现，在高温(900℃以上)退火的过程中，键合界面应该有一个时间很短的“开合”过程，这个过程与键合界面空洞的产生机制密切相关，如果“开合”过程不充分，键合界面就会产生空洞，并且不容易消除；研究了硅-硅直接键合工艺模型；研究了键合技术制备高压大功率p-i-n二极管的疏水键合技术，与外延技术相比较，键合技术有独特的优势：杂质分布陡、N-或P-层缺陷密度小、少子寿命长、串联电阻小。经过流片实验证明，键合衬底制备的高压p-i-n二极管的电学性能明显优于外延衬底。另外，为了避免界面的缺陷对器件性能的影响，对键合工艺进行改进，利用反外延技术和硅-硅直接键合技术制备SOI衬底的优点，提出了一种新结构的衬底，能够成为高压大功率p-i-n二极管更好的衬底材料。