硅-硅直接键合相关论文
本文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂......
文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断......
静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题.用SI/SI键合技术代替高阻厚......
硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0<w<2)。杂质在界面氧化层S iOw中的扩散......
