【摘 要】
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对HBr/He反应离子蚀蚀硅深槽进行了实验分析.介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素.通过扫描电子显微镜等分析方法,获得了硅槽侧壁及底部的刻蚀特征
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对HBr/He反应离子蚀蚀硅深槽进行了实验分析.介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素.通过扫描电子显微镜等分析方法,获得了硅槽侧壁及底部的刻蚀特征信息.给出了刻蚀产生损伤的模型,以及损伤对硅表面特性的影响和处理这些损伤的方法.陈星弼发明的复合缓冲耐压层结构(Composite Buffer Layer)突破了垂直导电MOS器件导通电阻与耐压的制约关系.利用该结构设计了170/400V-VDMOS(Vertical Doubled-Diffusion MOSFET),模拟结果表明,在相同击穿电压、元胞尺寸之下,复合缓冲耐压层VDMOS的导通电阻比常规VDMOS的导通电阻大大降低而且它的饱和电流密度大大增加.
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