有机二极管电存储器以其结构简单、材料易取、尺寸可缩性好、具备可堆叠多维多值存储能力等优点,成为了存储器行业的研发重点。但是,在获取高密度高集成化的有机二极管电存储器中,存在着性能不稳定和存储单元中串扰电流带来的数据误读问题。因此,研究解决有机二极管电存储器中存在的串扰电流问题和探索调控优越的器件性能具有重要意义。本论文基于酞菁铜有机二极管电存储器设计制备了一系列不同结构的器件,采取界面修饰调控手段,引入缓冲层对有机二极管存储器件进行界面调控,获得了同时具有存储特性和整流效应的有机二极管存储器件,并分别在单层活性层结构、异质结结构和多层结构的有机二极管存储器中进行推广探讨。通过系列调控实验以及机制分析揭示了缓冲层在有机二极管存储器中的应用潜力,此外总结了实验的一般规律,证明了阳极缓冲层在有机二极管存储器中具有可靠的普适性,并推测所设计的器件性能能有效抑制有机二极管电存储器件中存在的串扰电流问题。（1）基于酞菁铜（CuPc）设计了ITO/CuPc/Al的有机二极管电存储器件结构,通过引入阳极缓冲层,设计制备了具备大整流与稳定存储的二极管存储器件ITO/LiF/CuPc/Al。阳极缓冲层在器件中的应用使得器件的开关电流比得到了提升,同时拥有了更稳定的存储回滞窗口和可观的整流比,存储开关比和整流比可最大达到103。此外,活性层与缓冲层的不同厚度实验以及缓冲层不同位置实验表明了该器件的机制源于阳极缓冲层带来的界面修饰作用,从而使得活性层中的陷阱电荷得以释放与再填充,并造成了器件正负方向的电流值巨大差异而产生了可观的整流。（2）引入阳极缓冲层改进器件结构从而改善器件性能这一发现,进一步研究了阳极缓冲层在以异质结主体结构的器件性能调控。系统研究了ITO/LiF/CuPc/F₁₆CuPc/Al结构的二极管电存储器件,通过设计LiF在异质结结构器件中的不同位置实验,LiF在器件中不同的位置表现出不同的器件电学性能,证明了缓冲层在阳极位置给器件带来的性能改善,同时设计了不同活性层材料组成的异质结结构器件,在引入阳极缓冲层后器件得到了相应的性能改善,证明了阳极缓冲层可普遍适用在多类异质结结构有机二极管存储器中。（3）最后,设计了一系列引入阳极缓冲层在多层结构存储器件中的实验,并对改善后的多层器件进行了不同扫描方向、外电场对器件性能影响研究。系列实验证明了阳极缓冲层在多层结构器件的可推广性。