当代电子工业伴随着核心技术进步增长迅猛,各式无线通讯设备和高频高功率的电子元件的使用范围越来越广,给人民大众带来更加简洁高效的通讯方式,但是相伴元件而生的各式电磁波辐射伤害,相对的会衍生波及人类健康产能活动的问题,从而被认定为有损人类健康发展的一种高新污染。目前研制开发轻巧高能电磁波的屏蔽层,大幅减耗不同频电磁波对自然与人社的不良影响成为了目前研究一类愈发重要目的。聚酰亚胺（PI）以其优异的性能被广泛应用在许多高科技领域和日常生活中,比如微电子、航天器件、高度集成电子电路等,作为集成电子电路的常用封装材料在电磁屏蔽方面也有一定要求,因此对聚酰亚胺进行改性研究提高其电磁屏蔽能力显尤为重要。电气石是一种天然具有复杂结构的硼硅酸盐,电气石属于三方晶系,主要以硅氧四面体环状晶形为主,由于其特殊的晶体结构使其具有永久带电的特性,能够永久形成电场。利用其自带电场的特性与聚酰亚胺复合,使聚酰亚胺具有一定的静电屏蔽功能,在无机材料前者引入聚酰亚胺基体的同时一定程度上提升了其热力学性能。基于此,本文制备了聚酰亚胺/电气石复合材料,并在之后将电气石用银修饰以同样的方法制得了聚酰亚胺/Ag修饰电气石复合膜。而后借助SEM、FT-IR、XRD等设备对复合薄膜的结构组成进行了表征;利用TGA、力学试验机、网络分析仪等对薄膜性能进行了更加深入的分析与探究,进一步了解薄膜功能性的变化原理。首先对电气石进行常规的硅烷偶联剂（APTES）改性,使其表面带有-NH₂,然后合成酐基封端的6FDA-ODA-BPADA共聚聚酰亚胺,通过化学键的反应作用,电气石被键接到聚酰亚胺的分子链上,后通过流延成膜法制备了复合薄膜。借用XRD图谱和SEM图像表明,电气石成功引入薄膜中,并且不同比例的电气石含量分布有不同差别,但随着比例增大到一定量时会出现些许微观的团聚现象。TGA曲线中得到,复合薄膜热分解温度开始阶段提高而后出现下降,并且都仍然优于未复合电气石的薄膜。当电气石添加量为5wt%时,热性能出现峰值,5%热失重温度达到513℃,相较纯膜提高了近15℃;此添加量的电磁屏蔽能效也在一系列梯度中达到最优值;力学曲线中看出,复合膜的拉伸强度明显优化,杨氏模量提高,断裂伸长率减少。为了进一步增强薄膜的屏蔽能效,后用银纳米粒子修饰电气石,通过XRD谱图和SEM谱图可以判断到银纳米粒子成功修饰到了电气石表面,而且可以观察到Ag粒子的分布状况与修饰的量。用上述同样的方法制备了复合薄膜,TGA曲线和力学曲线都表明了银纳米粒子的引入对薄膜的热力学性能产生了影响。电磁屏蔽能效表明银纳米粒子的引入相较于前者薄膜能效数值有一定程度上的提升,进而说明Ag粒子的添加对能效的提升起到了促进作用。